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硅片清洗技術的發展趨勢

作者: 編輯: 來源: 發布日期: 2018.01.19
信息摘要:
隨著超大規模集成電路的發展、集成度的不斷提高、線寬的不斷減小,對硅片表面的潔凈度及表面態的要求越來越高,對硅片清洗技術也越來越高。要得到高質…

隨著超大規模集成電路的發展、集成度的不斷提高、線寬的不斷減小,對硅片表面的潔凈度及表面態的要求越來越高,對硅片清洗技術也越來越高。要得到高質量的半導體器件,僅僅除去硅片表面的沾污已不再是最終的要求。在清洗過程中造成的表面化學態、氧化膜厚度、表面粗糙度等已成為同樣重要的參數。

目前,通常應用的清洗方法是濕式化學清洗法,即利用有機溶劑、堿性溶液、酸性溶液、表面活性劑等化學試劑,配合兆聲、超聲、加熱等物理措施,使有機物、顆粒、金屬等沾污脫離硅片表面,然后用大量的去離子水沖洗,獲得潔凈的硅片表面的清洗方法。

硅片清洗技術的發展趨勢

沉積在硅片表面的粒子、金屬、有機物、濕氣分子和自然氧化膜的一種或幾種而形成了硅片表面沾污;因為有機物會遮蓋部分硅片表面,使氧化層和與之相關的沾污難以去除。

在濕式清洗工藝中,硅片表面都有一層化學氧化膜,這層氧化膜是主要的沾污源。如果沒有這層氧化膜可大大降低金屬、有機物等沾污??捎肏F清洗或簡化常規工藝后最后用HF清洗,可通過降低與周圍環境的接觸來獲得一個理想的鈍化表面,減少顆粒吸附在敏感的疏水性表面上。這就對清洗工藝設備提出了多方面的要求。

目前的硅片清洗技術設備,則是將所有的清洗工藝步驟(清洗和干燥)結合在一個工藝槽中,大大地減少了硅片與空氣的接觸。將HF作為最后一道清洗液,采用了標準的刻蝕(采用了使用HF/HNO3, KOH, H3PO4, BOE, DHF, SPM, SOM等),表面也不存在水印,清洗效果非常好。

伴隨著硅片的大直徑化,器件結構的超微小化、高集成化,對硅片的潔凈程度、表面的化學態、微粗糙度、氧化膜厚度等表面狀態的要求越來越高。同時,要求用更經濟的、給環境帶來更少污染的工藝獲得更高性能的硅片。

無錫市奧曼特科技有限公司是一家以設計自動化設備為主的科技公司,一直致力于各類小型自動化設備的研發、設計和制造。奧曼特有多年太陽能硅片清洗設備和電池線設備制造的經驗,可以為客戶提供更適合的產品和解決方案。咨詢熱線:0510-81000181-8006

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